付嵛
Email:fuyu@hlmc.cn
办公地点: 上海市浦东新区良腾路6号华力2期
个人简介: 年龄40;新加坡籍;2004年获得电子科学与技术专业学士学位. 从2004 至今从事半导体光刻工艺制程工程师超过16年。 |
2004/06~2007/04 ;中芯国际集成电路制造(天津)有限公司光刻部 Engineer
2007/04~2015/08: 联华电子(新加坡)股份有限公司光刻部 Staff Engineer
2015/08~ 2018/10:联芯集成电路制造(厦门)有限公司光刻部 Senior Staff Engineer
2018/10~ 至今:华力集成电路制造有限公司光刻部部长工程师(三级)研究领域: 具有丰富的光刻区域制程经验. 精通从0.16um 到 28nm logic/e-flash/HV/HK 光刻制程工艺, 并且从2015年厦门联芯集成电路制造项目立项之初就参与建厂以及L40/L45/L28(SION/HK) 工艺研发以及华力II期新厂建设以及28LP/HK TD技术转移以及良率改善工作. 长期负责光刻部前段制程管理工作以及自动化系统研发设计具有丰富的控制及研发经验。
200mm BI-COMS 工艺特殊要求单晶硅薄膜制备 .单晶硅薄膜制备过程中炉管区域生车机台温度控制异常会导致薄膜晶格热变形从而影响到光刻套刻精度, 产生线性补值校准失败从而导致产品超出光刻套刻参数管控规格. 在炉管区域协助下完成单晶硅薄膜制备过程中的热效应分析以及改善措施并且获得专利1项。
i. 为降低TEL track机台由于P.R SB/PEB/HB 升降温导致的机台idle 时间, 依据P.R HP温度以及用量进行机台管路调配以达到光刻部机台产能改善. ii. 依据各layer产能合理化P.R管路规划以减少idle P.R dummy cost. iii. 更新以及合理化 P.R pump以及coater recipe 以减少 P.R 用量.
1. L55/L40 制程平台于ASML 1965i机台上测试检验工作; 2. L55/L40/L45/L28 光刻区生产线健康度评估以及新平台改善项目验证; 3.L55 制程平台从ASML1400型机台移植到ASML 1965型机台以及相关 OPC 合理化工作. 4. 光刻部相关制程程序以及量测程序移植; 5. Fab 自动化系统建立以及移植融合工作; 5. 新进工程师培训考核;
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